型号:

BSR315P L6327

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Infineon Technologies描述:MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSR315P L6327 PDF
标准包装 3,000
系列 SIPMOS®
FET 型 MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 620mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 800 毫欧 @ 620mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 160µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 176pF @ 25V
功率 - 最大 500mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 PG-SC-59
包装 带卷 (TR)
其它名称 SP000265405
相关参数
BSS169 H6327 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
930C1W1P2K-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) CAP FILM 1.2UF 100VDC AXIAL
3314S-3-502E Bourns Inc. TRIMMER 5K OHM 0.25W SMD
BFG410W,115 NXP Semiconductors TRANS NPN 4.5V 22GHZ SOT343R
ASML-50.000MHZ-T Abracon Corporation OSCILLATOR 50.0000 MHZ 3.3V SMD
MMWA6P68K Cornell Dubilier Electronics (CDE) CAP FILM 0.68UF 630VDC AXIAL
ASML-50.000MHZ-T Abracon Corporation OSCILLATOR 50.0000 MHZ 3.3V SMD
3314S-3-502E Bourns Inc. TRIMMER 5K OHM 0.25W SMD
930C6W1K-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) CAP FILM 1UF 630VDC AXIAL
AOI518 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N-CH 30V 15A TO251A
BFR 705L3RH E6327 Infineon Technologies TRANS RF BIPO NPN 10MA TSLP-3-9
3314Z-1-203E Bourns Inc. TRIMMER 20K OHM 0.25W SMD
930C2W3K-F Cornell Dubilier Electronics (CDE) CAP FILM 3UF 250VDC AXIAL
ASML-48.000MHZ-T Abracon Corporation OSCILLATOR 48.0000 MHZ 3.3V SMD
BFR 705L3RH E6327 Infineon Technologies TRANS RF BIPO NPN 10MA TSLP-3-9
BK0603LL560-T Taiyo Yuden FERRITE BEAD 56 OHM 0201
715P22356KD3 Vishay Sprague CAP FILM 0.022UF 600VDC RADIAL
3314Z-1-203E Bourns Inc. TRIMMER 20K OHM 0.25W SMD
BFR 705L3RH E6327 Infineon Technologies TRANS RF BIPO NPN 10MA TSLP-3-9
AOI516 Alpha & Omega Semiconductor Inc MOSFET N-CH 30V 17A TO251A